SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。8通道。
输入：DC-10~10mA；0~20mA。
输出（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~12000；0~16000；-16000~16000。
转换速度：10ms/通道Q2ASCPU
40针连接器。
通道之间隔离。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔离型模拟量模块在实现高隔离电压的同时，
进一步提高了基准精度。
为使用通用可编程控制器进行过程控制提供支持。
流量计、压力表、其它传感器等可直接连接至模拟量输入，
控制阀也可直接连接至模拟量输出。
由于不需要外部隔离放大器，硬件和安装成本得以大幅降低。
高缘强度耐压 。
可隔离电气干扰，例如电流和噪音等。
标准型模拟量输入模块。
隔离型模拟量输入模块。
无需外部隔离放大器。
不使用通道间隔离型模拟量模块时。
使用了通道间隔离型模拟量模块时。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100；Ni100)。
转换速度：40ms/1通道。
18点端台。
通道之间隔离。
铂热电阻（Pt100、JPt100）。
镍热电阻（Ni100）。
脱落检测功能。
转换速度：320ms/8通道。
通道间隔离。
40针连接器。
适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道（ 8通道）输入型和通道隔离型。
客户可根据预期用途选择适合的型号。
缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始终将新的参数、程序等保存到存储卡。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。输入输出点数：4096点。
输入输出软元件点数：8192点。
程序容量：260K步。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：1040KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的更加化作出贡献。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。