双向可控硅输出：32点。
额定电流电压：AC100～240V　0.6A/1点，2.4A/1公共端，8点1公共端。
响应时间：1ms+0.5循环周期。
外部接线连接方式：38点端子台（端子台另售）。
替换型号：AY23。分辨率262144PLS/res。
允许转速3600r/min。
轴的允许载荷：径向大为19.6N，轴向大为9.8NQ00UCPU
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。应用：扩展用。
适合安全标准：EN954-1类别4，ISO13849-1 PLe。
安全输入点数：1点。
使用专用设定工具直观地进行配置。
构成设定使用丰富的组件可轻松、快捷地设定硬件构成。
创建逻辑对于安全设备，通过使用自动生成的标签的FB可以方便地创建逻辑。
逻辑的导入和导出。
可以只把对输入输出模块的连接设定和通过功能块创建的应用逻辑作为一个设定文件进行存储，
或者从已保存设定文件进行读取。输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100)。
加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台x2。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。