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QD75D4N使用方法三菱QD75D4N用户手册
产品型号: QD75D4N
名称: 热电偶输入模块
品牌: 三菱
类别: 用户手册
文件语言: 中文
输入输出点数:4096点。
输入输出软元件点数:8192点。
程序容量:40K步。
基本运处理速度(LD指令):1.9ns。
程序内存容量:160KB。
外围设备连接端口:USB、以太网(通信协义支持功能)。
存储卡I/F:SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界QD75D4N
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间,装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号,为装置的更加化作出贡献。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率大化。
此外,新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、的机器控制。更换用电池。
初始电压3.0V。
更换用大容量电池模块,带电缆。
电流容量:18000mAh。
使用寿命:5年。
外形尺寸:98*55.2*87mm4轴,SSCNETⅢ连接型。
2轴/3轴/4轴直线插补。
2轴弧线插补。
控制单位:mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数:600个数据/轴。
40针连接器。
通过SSCNETⅢ电缆连接节省了配线,站间距离长可达50m。
支持通过原点返回数据设置操作来确定原点位置的对位置系统。
此外,上限限位开关、下限限位开关和近点挡块信号输入可直接连接至伺服放大器,
从而大幅减少了配线需求。
轻松实现高速、的定位控制。
支持多种类型的定位控制,
包括2 〜 4轴直线插补、2轴圆弧插补、速度控制、速度/位置切换控制、路径控制、等速控制等。
此外,可使用“ GX Configurator-QP”等软件,
方便地进行定位设置、监视和调试等。
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