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Q172DRCPU使用案例三菱Q172DRCPUEMC
产品型号: Q172DRCPU
名称: 可编程控制器
品牌: 三菱
类别: EMC
文件语言: 英文
下载地址: 三菱 Q172DRCPU EMC
测量项目:漏电流(Io)、阻性漏电流(Ior)。
测量电路数:2个电路。
测量泄漏电流的缘监视模块。
可对漏电流进行测量,以确保安全通过监视漏电流(Io),可检测出触电危险。
可连续不间断地监视设备的缘状态 测量阻性漏电流(Ior),
以便不间断地监视设备的缘老化状况。
可对每个测量项目进行2阶段的报视可分别对漏电流( Io)、阻性漏电流(Ior)进行2阶段的报视,
无需梯形图程序Q172DRCPU报视分为注意报警和危险报警2阶段。
一个模块可测量两个电路 一个模块可对同一系统中相同相线式电源的两个电路进行测量。
此外,可使用GX Works2 ( 1.90U版或更高版本),轻松地设置参数。
[测量项目]漏电流( Io)、阻性漏电流( Ior)。输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
程序容量:28 k步。
处理速度:34ns。
程序存储器容量:144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。SRAM存储器卡;容量:8M字节。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡,
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此,可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器,
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行。

只需插入SD存储卡,即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡,即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时,
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后,
即可立即开始记录。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便,无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置,
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料,
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据,
毫无遗漏地记录的控制数据的变动。
因此,在发生故障时,可快速确定原因,进行的动作分析。
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