SRAM存储卡。
RAM容量：64KB。应用：Q系列用。
适合安全标准：EN954-1类别4，ISO13849-1 PLe。
安全输入点数：1点。
增设台数：增设用安全继电器模块多3台。
使用专用设定工具直观地进行配置。
构成设定使用丰富的组件可轻松、快捷地设定硬件构成。
创建逻辑对于安全设备，通过使用自动生成的标签的FB可以方便地创建逻辑Q02UCPU
逻辑的导入和导出。
可以只把对输入输出模块的连接设定和通过功能块创建的应用逻辑作为一个设定文件进行存储，
或者从已保存设定文件进行读取。串行ABS同步编码器输入可使用台数：2台/个模块。
位置检测方式：编对值（ABS）方式。
传输方式：串行通信。
允许跟踪目标输入点数：2点。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。容量：32M字节。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
只需插入SD存储卡，即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。测量项目：漏电流（Io）、阻性漏电流（Ior）。
测量电路数：2个电路。
测量泄漏电流的缘监视模块。
可对漏电流进行测量，以确保安全通过监视漏电流（Io），可检测出触电危险。
可连续不间断地监视设备的缘状态 测量阻性漏电流（Ior），
以便不间断地监视设备的缘老化状况。
可对每个测量项目进行2阶段的报视可分别对漏电流（ Io）、阻性漏电流（Ior）进行2阶段的报视，
无需梯形图程序。报视分为注意报警和危险报警2阶段。
一个模块可测量两个电路 一个模块可对同一系统中相同相线式电源的两个电路进行测量。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），轻松地设置参数。
［测量项目］漏电流（ Io）、阻性漏电流（ Ior）。